奇碼公司筆試題

收集一：
一.填空
1.集成電路的分類，按材料，工藝
2.集成電阻的計(jì)算，以及其制造工藝
3.Vtp，Vtn的正負(fù)判斷，分別對(duì)于增強(qiáng)型和耗盡型
4.CMOS電路功耗包括哪兩個(gè)部分，功耗設(shè)計(jì)主要考慮的因素
……（還有幾道不記得了）
二.填表
全定制，門(mén)陣列，F(xiàn)PGA各自單元模塊，連線的性質(zhì)……
三.填圖
CMOS工藝流程填圖畫(huà)圖
四.問(wèn)答
1.CMOS單元負(fù)載較大的電容時(shí)，只有提高W，這樣會(huì)使W*L增加，相對(duì)前級(jí)又時(shí)一個(gè)大電容，如何解決這一矛盾？
2.結(jié)合軟件談?wù)勅�定制集成電路設(shè)計(jì)流程
3.談?wù)剬?duì)Layout設(shè)計(jì)的看法
五.翻版圖或者畫(huà)版圖，選一
第二卷
1.什么是格雷碼？
2.Nyquist采樣定例
3.球一米高落下，每次探起一半，求路程和重力做功
4.運(yùn)算放大器1，…………2，有幾級(jí)，各級(jí)之間耦合方式有幾種，分析各種的優(yōu)劣，

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收集二：1．畫(huà)出NMOS的特性曲線（指明飽和區(qū)，截至區(qū)，線性區(qū)，擊穿區(qū)和C-V曲線）
2．2.2um工藝下，Kn＝3Kp，設(shè)計(jì)一個(gè)反相器，說(shuō)出器件尺寸。
3．說(shuō)出制作N-well的工藝流程。
4．雪崩擊穿和齊納擊穿的機(jī)理和區(qū)別。
5．用CMOS畫(huà)一個(gè)D觸發(fā)器（clk，d，q，q-）
 

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