- 相關推薦
并行接口鐵電存儲器FM1808及其應用
摘要:RAMTRON公司生產的并行接口高性能鐵電存儲器FM1808是NV-SRAM的理想替代產品。文中介紹了FM1808的性能特點、引腳功能和工作原理,同時重點介紹了鐵電存儲器的應用特點及與其它類型存儲器之間的應用差別,給出了FM1808的設計應用要點。關鍵詞:FRAM;并行接口;鐵電存儲器;FM1808
1 引言
目前,數(shù)據(jù)寫入頻率要求較高且要求掉電不丟失數(shù)據(jù)的應用領域,通常采用內部具有鋰電池的不揮發(fā)NV-SRAM作為存儲器件,但該類器件昂貴的價格又制約了其在價格敏感領域的應用,而如果使用與其兼容的鐵電存儲器FRAM,則可很好地解決成本問題,同時又可得到更高的數(shù)據(jù)存儲可靠性。鐵電存儲器是RAMTRON公司的專利產品,該產品的核心技術是鐵電晶體材料,這一特殊材料使得鐵電存儲器產品同時擁有隨機存儲器(RAM)和非易失性存儲器(ROM)產品的特性。 FM1808是基于鐵電存儲器原理制造的并行接口256kbit鐵電存儲器,該存儲器相比其它類型的存儲器有三大特點:
●幾乎可以像RAM那樣無限次寫入;
●可隨總線速度寫入而無須任何寫等待時間;
●超低功耗。
這種鐵電存儲器FRAM克服了以往EEPROM和FLASH寫入時間長、擦寫次數(shù)少的缺點,其價格又比相同容量的不揮發(fā)鋰電NV-SRAM低很多,因而可廣泛應用于在系統(tǒng)掉電后需要可靠保存程序及數(shù)據(jù)的應用領域,同時也是價格昂貴的不揮發(fā)鋰電NV-SRAM的理想替代產品。
2 性能特點及引腳定義
FM1808的主要特性如下:
●采用先進的鐵電技術制造;
●存儲容量為256k bit(即32k byte);
●讀寫壽命為100億次;
●掉電數(shù)據(jù)可保存10年;
●寫數(shù)據(jù)無延時;
●存取時間為70ns;
●低功耗,工作電流為25mA,待機電流僅為20μA;
●采用單5V工作電壓;
●工作溫度范圍為-40℃~+85℃;
[1] [2] [3] [4] [5]
【并行接口鐵電存儲器FM1808及其應用】相關文章:
鐵電材料研究進展及其在飛行器上的應用05-02
電測深反射系數(shù)法及其應用04-27
鐵譜技術及其在發(fā)動機監(jiān)控中的應用04-29
羧甲基纖維素-殼聚糖雙極膜的制備及其在電合成高鐵酸鹽中的應用05-01
電致熒光分析法及其在藥物分析中的應用04-30
RNAi及其應用04-27
鐵電薄膜電疲勞研究進展04-28
鐵電陰極用于小功率電推力器04-26
成就測驗及其應用04-28