電子封裝用Sip/Al復(fù)合材料的熱物理性能研究

采用擠壓鑄造法制備了Sip/Al復(fù)合材料.材料組織致密,增強體顆粒分布均勻.熱物理性能研究表明,復(fù)合材料的熱導(dǎo)率大于90 W/(m·K),線膨脹系數(shù)可在(7.48～9.99)×10-6/K范圍內(nèi)調(diào)整.增加基體合金中的Si含量有利于降低材料的線膨脹系數(shù),但同時也會使熱導(dǎo)率降低.對復(fù)合材料進(jìn)行退火處理可有效降低其線膨脹系數(shù),提高熱導(dǎo)率.Sip/Al復(fù)合材料作為新型環(huán)保復(fù)合材料已經(jīng)基本滿足電子封裝高導(dǎo)熱、低膨脹的使用要求.

作 者： 宋美慧 修子揚 武高輝 宋濤 Song Meihui Xiu Ziyang Wu Gaohui Song Tao   作者單位： 哈爾濱工業(yè)大學(xué)金屬基復(fù)合材料工程技術(shù)研究所,哈爾濱,150001  刊 名： 宇航材料工藝  ISTIC PKU 英文刊名： AEROSPACE MATERIALS & TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2005 35(6)  分類號： V25  關(guān)鍵詞： 鋁基復(fù)合材料   熱膨脹   熱導(dǎo)率   電子封裝  

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