MOCVI法制備SiO2/SiO2復(fù)合材料

依據(jù)金屬基化學(xué)氣相滲透法(Metal Organic Chemical Vapor Infiltration,MOCVI)工藝?yán)碚摶�礎(chǔ),采用MOCVI法制備出SiO2/SiO2復(fù)合材料,并分析了載氣流量、先驅(qū)體JH20溫度和沉積溫度對(duì)氧化硅基體滲透速率和SiO2/SiO2(石英玻璃)復(fù)合材料顯微結(jié)構(gòu)的影響.結(jié)果表明,優(yōu)化條件為:JH20的溫度為60℃,載氣流量為500mL/min,氧氣流量為15mL/min,沉積溫度為600℃.

作 者： 鄭勇 張立同 陳照峰 成來飛 徐永東   作者單位： 西北工業(yè)大學(xué)超高溫結(jié)構(gòu)復(fù)合材料國防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室  刊 名： 航空制造技術(shù)  ISTIC 英文刊名： AERONAUTICAL MANUFACTURING TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2007 ""(1)  分類號(hào)： V2  關(guān)鍵詞： 復(fù)合材料   石英玻璃   MOCVI   制備條件  

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