ZnO粉末質(zhì)子輻照損傷效應(yīng)

文章研究了90 keV質(zhì)子輻照作用下ZnO粉末的輻照損傷機制.ZnO粉末的質(zhì)子輻照損傷方式以電離效應(yīng)為主,質(zhì)子輻照后ZnO粉末表面產(chǎn)生大量的氧空位型缺陷(Vo**,Voo*和Vo).氧空位型缺陷的產(chǎn)生是ZnO粉末光譜反射系數(shù)下降的主要原因.實驗結(jié)果表明:質(zhì)子輻照下,ZnO粉末光學(xué)性能退化主要發(fā)生在可見光區(qū),在紅外區(qū)間ZnO粉末光學(xué)性能退化不明顯.

作 者： 李春東 施飛舟 楊德莊 何世禹   作者單位： 李春東,楊德莊,何世禹(哈爾濱工業(yè)大學(xué),空間材料與環(huán)境工程實驗室,哈爾濱,150001)

施飛舟(上海航天技術(shù)研究院第805研究所,上海,201108) 

刊 名： 航天器環(huán)境工程  ISTIC 英文刊名： SPACECRAFT ENVIRONMENT ENGINEERING  年，卷(期)： 2008 25(5)  分類號： V416.5  關(guān)鍵詞： ZnO粉末   質(zhì)子輻照   輻照損傷   氧空位  

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