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PIN二極管的高功率微波響應
利用自行編制的半導體器件模擬程序mPND1D(采用時域有限差分方法,求解器件內部載流子所滿足的非線性、耦合、剛性方程組),對PIN二極管微波限幅器在高功率微波激勵下的響應進行了計算,比較了不同條件下的計算結果,并對二極管微波響應截止頻率作了探討.計算結果表明:隨著激勵源幅值的升高,器件截止頻率增大;隨著脈沖長度減小,器件截止頻率降低;隨著器件恒定溫度值升高,截止頻率下降.
作 者: 余穩(wěn) 聶建軍 郭杰榮 周傳明 張義門 作者單位: 余穩(wěn)(西安電子科技大學,微電子研究所,陜西,西安710071;常德師范學院,電子學研究所,湖南,常德,415000)聶建軍,郭杰榮(常德師范學院,電子學研究所,湖南,常德,415000)
周傳明(中國工程物理研究院,應用電子學研究所,四川,綿陽,621900)
張義門(西安電子科技大學,微電子研究所,陜西,西安710071)
刊 名: 強激光與粒子束 ISTIC EI PKU 英文刊名: HIGH POWER LASER AND PARTICLE BEAMS 年,卷(期): 2002 14(2) 分類號: O475 O241.82 關鍵詞: 二極管限幅器 高功率微波 截止頻率【PIN二極管的高功率微波響應】相關文章:
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