側鏈含有兩種介晶基元的聚硅氧烷類液晶聚合物的制備與性能

合成了側基帶有兩種介晶基元的聚硅氧烷類系列液晶聚合物(P1～P5),所用介晶單體M1為4-聯苯二酚基-4′-(2-乙基己�；�)-4-烯丙氧基苯甲酸酯,M2為4-烯丙氧基苯甲酰氧基-4′-甲氧基苯,它們介晶區(qū)間分別為39 ℃和7.9 ℃.只含有單體M1的聚合物P1和只含有單體M2的聚合物P5的介晶區(qū)間分別為70.8 ℃和75.1 ℃;但是同時含有不同摩爾比的M1和M2的液晶聚合物P2～P4的介晶區(qū)間為240～255 ℃,比只含有-種介晶基元的P1或P5拓寬了約170 ℃,所有聚合物均低于室溫就有液晶性能,且耐熱性達310 ℃以上,屬于非晶近晶織構.

作 者： 叢越華 張寶硯 賈瑩光 王文彬   作者單位： 東北大學化學系,遼寧,沈陽,110006  刊 名： 高分子材料科學與工程  ISTIC EI PKU 英文刊名： POLYMER MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING  年，卷(期)： 2002 18(3)  分類號： O631.1  關鍵詞： 4-聯苯二酚基-4′-(2-乙基己�；�)-4-烯丙氧基苯甲酸酯   兩種介晶基元   聚硅氧烷   合成與性能  

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