量子阱結(jié)構(gòu)中的等效寬度分析

在有效質(zhì)量近似下,分析了有限深勢(shì)阱的電子基態(tài)能級(jí),并和有相同能級(jí)的無(wú)限深勢(shì)阱模型作比較,用數(shù)值方法得到了不同電場(chǎng)下兩者之間的阱寬的關(guān)系 ,首次得出經(jīng)驗(yàn)公式,發(fā)現(xiàn)結(jié)果與前人的實(shí)驗(yàn)和理論結(jié)果吻合得很好.分析了兩種模型下的波函數(shù)和結(jié)合能,證實(shí)了有外加電場(chǎng)時(shí)采用零電場(chǎng)下的等效寬度的合理性.

作 者： 周小平 周劍英 楊?lèi)?ài)齡 李錫華 江曉清 王明華   作者單位： 浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)系,杭州,310027  刊 名： 半導(dǎo)體學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2002 23(7)  分類(lèi)號(hào)： O471.1  關(guān)鍵詞： 量子阱   等效寬度   結(jié)合能   GaAs/GaAlAs  

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