光子晶體缺陷模的偏振特性研究

為了了解光波在一維光子晶體的傳輸特性,利用傳輸矩陣方法進行了數值模擬,并研究了缺陷層厚度對缺陷模偏振特性的影響.結果表明,入射角的變化對光子晶體的禁帶及缺陷模影響較大,它們都隨入射角的增大向高頻(短波)方向移動,s偏振的禁帶寬度逐漸增寬而p偏振的禁帶寬度變化不明顯,p偏振的缺陷模頻移較s偏振的稍大.隨著入射角的增大,s偏振的缺陷模越來越細、品質因子逐漸增大,而p偏振的缺陷模變化趨勢則剛好相反.

作 者： 金銥 黃正逸 陳憲鋒 唐麗 是度芳 JIN Yi HUANG Zheng-yi CHEN Xian-feng TANG Li SHI Du-fang   作者單位： 金銥,黃正逸,陳憲鋒,唐麗,JIN Yi,HUANG Zheng-yi,CHEN Xian-feng,TANG Li(江蘇工業(yè)學院,信息科學系,常州,213016)

是度芳,SHI Du-fang(江蘇工業(yè)學院,信息科學系,常州,213016;華中科技大學,物理系,武漢,430074) 

刊 名： 激光技術  ISTIC PKU 英文刊名： LASER TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2007 31(3)  分類號： O734  關鍵詞： 物理光學   光子晶體   傳輸矩陣   缺陷模   偏振態(tài)  

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