D2/DT低溫精餾分離動態(tài)模擬

本文建立了氫同位素低溫精餾分離的動態(tài)模型,利用該模型針對D2/DT體系計算獲得了精餾柱上DT濃度的動態(tài)變化和空間分布;研究了再沸器滯留量、回流比等參數(shù)對系統(tǒng)分離性能的影響.回流比的提高可以顯著地提高脫氚率;再沸器中DT濃度不但與滯液量存在顯著的依賴關(guān)系,而且隨時間增長而增長.在理論板數(shù)為80時,塔頂與塔底DT濃度相差約3個數(shù)量級,分離效果明顯.

作 者： 夏修龍 XIA Xiulong   作者單位： 中國工程物理研究院,核物理與化學(xué)研究所,綿陽,621900  刊 名： 核技術(shù)  ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR TECHNIQUES  年，卷(期)： 2007 30(4)  分類號： O643.14  關(guān)鍵詞： 氫同位素   低溫精餾   氚  

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