- 相關(guān)推薦
離子注入GaN的拉曼散射研究
研究了離子注入前后GaN的拉曼散射光譜,特別是其中幾個(gè)在各種離子注入后都存在的拉曼散射峰,如298,362和661cm-1峰的性質(zhì),峰值強(qiáng)度隨注入元素原子量、注入劑量和退火溫度的變化關(guān)系.上述三個(gè)拉曼散射峰的強(qiáng)度都隨注入元素原子量的增加而降低.當(dāng)注入劑量增大時(shí),362和661cm-1峰值強(qiáng)度減少,而298cm-1峰值強(qiáng)度卻增大.隨退火溫度的升高,這三個(gè)拉曼散射峰的強(qiáng)度先增加后降低.對所觀察到的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象和這三個(gè)峰的起源進(jìn)行了分析和討論.
作 者: 張紀(jì)才 戴倫 秦國剛 應(yīng)麗貞 趙新生 作者單位: 張紀(jì)才(山東曲阜師范大學(xué)物理系)戴倫(北京大學(xué)人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室)
秦國剛(北京大學(xué)物理學(xué)院,北京,100871)
應(yīng)麗貞,趙新生(北京大學(xué)分子動(dòng)態(tài)與穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,化學(xué)與分子工程學(xué)院物理化學(xué)研究所,北京,100871)
刊 名: 物理學(xué)報(bào) ISTIC SCI PKU 英文刊名: ACTA PHYSICA SINICA 年,卷(期): 2002 51(3) 分類號: O4 關(guān)鍵詞: GaN 離子注入 拉曼散射 局域振動(dòng)【離子注入GaN的拉曼散射研究】相關(guān)文章:
ZnO 晶體的偏振拉曼散射的深入研究04-28
液晶的表面增強(qiáng)拉曼散射04-26
苯在銠電極上吸附的表面增強(qiáng)拉曼散射光譜研究04-29
一套高溫高壓原位拉曼散射、布里淵散射測量系統(tǒng)04-26
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究04-26
新型銀膠基底研究HSA的近紅外表面增強(qiáng)拉曼散射04-28
新型緩蝕劑在金銀溶膠上的表面增強(qiáng)拉曼散射04-26
超痕量分子的絕對拉曼散射強(qiáng)度測量及計(jì)算方法04-28