氧分壓對ZnO薄膜結(jié)構(gòu)與光學(xué)性能的影響

采用直流磁控濺射法在不同氧分壓下制備了ZnO薄膜.用原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射(XRD)儀、熒光分光光度計(jì)、紫外-可見分光光度計(jì)對樣品進(jìn)行檢測.實(shí)驗(yàn)表明,氧分壓對ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性能影響很大.在樣品的光致發(fā)光譜中,均只發(fā)現(xiàn)了520 nm附近的綠色發(fā)光峰,該峰隨著氧分壓的增大而增強(qiáng).不同氧分壓制備的ZnO薄膜中,氧分壓為0.25Pa的樣品結(jié)晶性能最好,透過率最高.

作 者： 楊兵初 劉曉艷 高飛 YANG Bing-chu LIU Xiao-yan GAO Fei   作者單位： 中南大學(xué),物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,長沙,410083  刊 名： 半導(dǎo)體技術(shù)  ISTIC PKU 英文刊名： SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2007 32(6)  分類號： O484.4 O484.5  關(guān)鍵詞： 直流磁控濺射   ZnO薄膜   氧分壓  

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