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高壓下ZnO晶粒的快速生長及其拉曼光譜研究
利用陶瓷燒結基本理論以及高壓燒結的特點對高壓下ZnO晶?焖偕L的現(xiàn)象進行了分析,并結合拉曼光譜對高壓下得到的ZnO晶體進行了研究.結果表明:ZnO在高壓下燒結時,其晶粒生長速率大大提高,在900 ℃時約為常壓下晶粒生長速率的960倍;高壓下ZnO晶?焖偕L的原因可能是由于高壓下ZnO中間隙鋅離子濃度大大增加所致;通過Raman光譜分析表明高壓下生長得到ZnO晶體質(zhì)量隨著溫度的升高而有所提高.
作 者: 張海寧 朱茂電 陸中 ZHANG Hai-ning ZHU Mao-dian LU Zhong 作者單位: 張海寧,朱茂電,ZHANG Hai-ning,ZHU Mao-dian(常州輕工職業(yè)技術學院,江蘇,常州,213164)陸中,LU Zhong(江蘇工業(yè)學院,江蘇,常州,213164)
刊 名: 化學工業(yè)與工程 ISTIC 英文刊名: CHEMICAL INDUSTRY AND ENGINEERING 年,卷(期): 2009 26(6) 分類號: O741+.5 關鍵詞: ZnO單晶 高壓燒結 拉曼光譜【高壓下ZnO晶粒的快速生長及其拉曼光譜研究】相關文章:
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