脈沖腐蝕法制備的多孔硅對乙醇氣體的響應

采用電化學脈沖腐蝕法,在P型單晶硅片上制備了多孔硅(Porous Silicon,PS).以制備的多孔硅為傳感元件,利用電感耦合器件(CCD)記錄了乙醇蒸汽的反射干涉圖.反射光譜經(jīng)IGOR軟件進行傅里葉變換后,得到多孔硅的光學厚度值,并以此為依據(jù)探討多孔硅對乙醇蒸汽的傳感特性.實驗結(jié)果表明,當PS膜暴露于乙醇蒸汽中時,反射譜吸收峰位發(fā)生紅移,相應的光學厚度也發(fā)生紅移;當乙醇氣體體積分數(shù)大于500×10-6時,PS的光學厚度急劇增大.

作 者： 黎學明 楊金瑞 楊根嶺 LI Xue-ming YANG Jin-rui YANG Gen-ling   作者單位： 重慶大學化學化工學院,重慶,400030  刊 名： 重慶工學院學報（自然科學版）  ISTIC 英文刊名： JOURNAL OF CHONGQING INSTITUTE OF TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2009 23(8)  分類號：   關鍵詞： 多孔硅   法布里-珀羅干涉   脈沖腐蝕   光學厚度   傳感  

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