射頻功率對硼碳氮薄膜的組分和厚度的影響

利用射頻磁控濺射方法以不同的射頻功率(80～130 W)在硅襯底上制備出一組硼碳氮(BCN)薄膜.傅里葉紅外吸收光譜(FTIR)和X射線光電子能譜(XPS)測量發(fā)現(xiàn)樣品的組成原子之間均實現(xiàn)了原子級化合.射頻功率對薄膜的組分和厚度有很大影響,二者隨射頻功率的增大而呈規(guī)律性變化.B、N元素含量高、C元素含量低的硼碳氮薄膜較厚.并且,射頻功率為110 W條件下制備的硼碳氮薄膜中C元素含量最低,薄膜最厚.

作 者： 王玉新 鄭亞茹 宋哲 馮克成 WANG Yu-xin ZHENG Ya-ru SONG Zhe FENG Ke-cheng   作者單位： 王玉新,鄭亞茹,宋哲,WANG Yu-xin,ZHENG Ya-ru,SONG Zhe(遼寧師范大學(xué),物理與電子技術(shù)學(xué)院,遼寧,大連,116029)

馮克成,FENG Ke-cheng(長春理工大學(xué),理學(xué)院,吉林,長春,130022) 

刊 名： 遼寧師范大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF LIAONING NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)  年，卷(期)： 2008 31(2)  分類號： O484.1  關(guān)鍵詞： 射頻磁控濺射   硼碳氮薄膜   X射線光電子能譜   射頻功率  

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