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碳納米管場(chǎng)致發(fā)射中的空間電荷效應(yīng)

時(shí)間:2023-04-26 14:41:09 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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碳納米管場(chǎng)致發(fā)射中的空間電荷效應(yīng)

采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MWPCVD)方法成功制備以碳納米管束為單元的場(chǎng)致發(fā)射陣列,獲得很好的場(chǎng)致發(fā)射電流發(fā)射特性,在電流密度較大時(shí),發(fā)現(xiàn)I-V特性偏離由Fowler-Nordheim公式計(jì)算出的結(jié)果.采用Electron Beam Simulation(EBS)軟件進(jìn)行模擬分析發(fā)現(xiàn):在電流密度較低時(shí),I-V特性能很好與F-N公式吻合.但碳納米管尖端電流密度大于106 A/cm2時(shí),碳納米管尖端處的有效電場(chǎng)強(qiáng)度受空間電荷的影響比較明顯,進(jìn)而對(duì)碳納米管的場(chǎng)致發(fā)射特性顯現(xiàn)出不可忽略的影響,此時(shí)碳納米管的發(fā)射電流密度開始受到空間電荷的限制.

作 者: 張強(qiáng) 陳澤祥 朱炳金 王小菊 于濤 ZHANG Qiang CHEN Ze-xiang ZHU Bing-jin WANG Xiao-ju YU Tao   作者單位: 電子科技大學(xué),光電信息學(xué)院,四川,成都,610054  刊 名: 發(fā)光學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年,卷(期): 2008 29(3)  分類號(hào): O462.4 TN873.95  關(guān)鍵詞: 空間電荷效應(yīng)   碳納米管   場(chǎng)致發(fā)射   微波等離子體化學(xué)氣相沉積  

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