X射線存儲材料Si4+摻雜BaFBr:Eu2+中電子陷阱的研究

在BaFBr:Eu2+中摻入Si4+合成了一種新的X射線影像板材料,其主要光激勵發(fā)光(PSL)性能,如射線敏感度和長波可激發(fā)性都優(yōu)于低價陽離子摻雜的BaFBr∶Eu2+.用喇曼和順磁共振(EPR)等手段表征了摻Si4+后BaFBr∶Eu2+中電子陷阱的結(jié)構(gòu),并根據(jù)此結(jié)構(gòu)解釋了其激發(fā)波長的紅移量比其它低價陽離子摻雜都高的原因.

作 者： 鄭震 熊光楠 余華 張麗平 馬宇平 程士明 嚴曉敏   作者單位： 鄭震,熊光楠,張麗平,馬宇平(天津理工大學材料物理研究所,天津,300191)

余華(南開大學物理學院,天津,300071)

程士明,嚴曉敏(復旦大學分析測試中心,上海,200433) 

刊 名： 光電子·激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF OPTOELECTRONICS·LASER  年，卷(期)： 2004 15(1)  分類號： O482.3  關(guān)鍵詞： BaFBr:Eu2+   Si4+   電子陷阱   紅移   光激勵發(fā)光(PSL)   BaFBr∶Eu2+   Si4+   electron traps   red shift   photo stimulated luminescence(PSL)  

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