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納米硅鑲嵌復(fù)合薄膜退火前后的微結(jié)構(gòu)及發(fā)光特性研究

時(shí)間:2023-04-26 15:02:30 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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納米硅鑲嵌復(fù)合薄膜退火前后的微結(jié)構(gòu)及發(fā)光特性研究

采用減壓化學(xué)氣相沉積方法,依靠純N2稀釋的SiH4氣體的熱分解反應(yīng),在玻璃表面生長(zhǎng)了納米硅鑲嵌的復(fù)合薄膜.實(shí)驗(yàn)研究了退火前后薄膜樣品的結(jié)晶狀態(tài)和光致發(fā)光特性.結(jié)果表明,未退火樣品的光致發(fā)光特性隨沉積溫度升高反而減弱.退火溫度Ta>600℃時(shí),晶化趨勢(shì)明顯,Ta<600℃時(shí),退火溫度對(duì)晶化的貢獻(xiàn)不大,但提高退火溫度或延長(zhǎng)退火時(shí)間可以增加PL強(qiáng)度.同時(shí)在退火樣品中發(fā)現(xiàn)Si-Ox的單晶結(jié)構(gòu).通過(guò)Raman、PL、TEM的分析比較,認(rèn)為在退火前后分別有兩種不同的發(fā)光機(jī)制起主導(dǎo)作用.

納米硅鑲嵌復(fù)合薄膜退火前后的微結(jié)構(gòu)及發(fā)光特性研究

作 者:   作者單位:   刊 名: 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年,卷(期): 2004 24(z1)  分類(lèi)號(hào): O484.4  關(guān)鍵詞: 納米硅   化學(xué)氣相沉積   退火   光致發(fā)光  

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