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對激光燒蝕沉積Ag薄膜生長率和環(huán)境氣壓關(guān)系的理論解析
為了對激光燒蝕沉積Ag薄膜生長率和環(huán)境氣壓關(guān)系進行定量解釋,考慮燒蝕產(chǎn)物在惰性氣體環(huán)境中的動力學(xué)過程以及薄膜生長的沉積和二次濺射過程,并假定二次濺射幾率正比于入射粒子的動能,建立了激光燒蝕沉積納米薄膜生長的動力學(xué)模型.定量地解釋了T.Scharf等人在惰性氣體He,Ne,Ar,Xe環(huán)境下燒蝕沉積Ag膜的實驗結(jié)果,所出現(xiàn)偏差乃計及大顆粒所致.
作 者: 王英龍 周陽 傅廣生 彭英才 褚立志 張榮梅 作者單位: 河北大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,河北,保定,07l002 刊 名: 中國激光 ISTIC EI PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF LASERS 年,卷(期): 2004 31(z1) 分類號: O484.1 關(guān)鍵詞: 薄膜物理學(xué) Ag薄膜沉積 脈沖激光燒蝕【對激光燒蝕沉積Ag薄膜生長率和環(huán)境氣壓關(guān)系的理論解析】相關(guān)文章:
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