微分測(cè)深裝置視電阻率異常研究

微分測(cè)深以其獨(dú)特的工作方式,較好的場(chǎng)地適應(yīng)能力而廣泛應(yīng)用于工程地質(zhì)勘察中.這里針對(duì)微分測(cè)深的工作方式,研究了供電電極AB距離大小對(duì)測(cè)深曲線(xiàn)的典型影響,并在此基礎(chǔ)上,計(jì)算和對(duì)比分析了二維、三維地質(zhì)構(gòu)造不同測(cè)點(diǎn)的電測(cè)深曲線(xiàn)和視電阻率異常的主要特征,為微分測(cè)深的實(shí)際工作提供參考.

作 者： 呂玉增 韋柳椰 阮百堯 LV Yu-zeng WEI Liu-ye RUAN Bai-yao   作者單位： 呂玉增,LV Yu-zeng(中南大學(xué),信息物理工程學(xué)院,長(zhǎng)沙,410083;桂林工學(xué)院,桂林,541004)

韋柳椰,阮百堯,WEI Liu-ye,RUAN Bai-yao(桂林工學(xué)院,桂林,541004) 

刊 名： 物探化探計(jì)算技術(shù)  ISTIC 英文刊名： COMPUTING TECHNIQUES FOR GEOPHYSICAL AND GEOCHEMICAL EXPLORATION  年，卷(期)： 2008 30(1)  分類(lèi)號(hào)： P631.3+22  關(guān)鍵詞： 微分測(cè)深   二維   三維   電測(cè)深曲線(xiàn)   視電阻率斷面  

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