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模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四版童詩白課后答案e
第五章 放大電路的頻率響應(yīng)
自 測(cè) 題
一、選擇正確答案填入空內(nèi)。
(1)測(cè)試放大電路輸出電壓幅值與相位的變化,可以得到它的頻率響應(yīng),條件是 。
A.輸入電壓幅值不變,改變頻率 B.輸入電壓頻率不變,改變幅值 C.輸入電壓的幅值與頻率同時(shí)變化
(2)放大電路在高頻信號(hào)作用時(shí)放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是而低頻信號(hào)作用時(shí)放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是 。 A.耦合電容和旁路電容的存在
B.半導(dǎo)體管極間電容和分布電容的存在。 C.半導(dǎo)體管的非線性特性 D.放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)不合適
(3)當(dāng)信號(hào)頻率等于放大電路的fL 或fH時(shí),放大倍數(shù)的值約下降到中頻時(shí)的 。
A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降
A.3dB B.4dB C.5dB
&相位關(guān)系是。&與U (4)對(duì)于單管共射放大電路,當(dāng)f = fL時(shí),U oi
A.+45?
B.-90? C.-135?
&與U&的相位關(guān)系是。 當(dāng)f = fH時(shí),Uoi
A.-45? B.-135? C.-225? 解:(1)A (2)B,A (3)B A (4)C C
二、電路如圖T5.2所示。已知:VCC=12V;晶體管的Cμ=4pF,fT = 50MHz,rbb'=100Ω, β0=80。試求解:
(1)中頻電壓放大倍數(shù)A&usm
; (2)C'
π; (3)fH和fL;
(4)畫出波特圖。
圖T5.2
解:(1)靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的分析估算:
IBQ=
VCC?UBEQ
R≈22.6? A
b
IEQ=(1+β)IBQ≈1.8mAUCEQ=VCC?ICQRc≈3Vrb'e=(1+β)
26mV
I≈1.17k?
EQ
r
be=rbb'+rb'e≈1.27k?Ri=rbe∥Rb≈1.27k?gm=
IEQU≈69.2mA/V
T
A&=Ri
rusm
R?b'e(?gmRc ) ≈?178
s+Rirbe
(2)估算C'
π:
fT≈
Cπ≈
β0
2πrb'e(Cπ+Cμ)
β0
2πrb'efT
?Cμ≈214pF
'
=Cπ+(1+gmRc)Cμ≈1602pFCπwww.shangyepx.com
(3)求解上限、下限截止頻率:
R=rb'e∥(rb'b+Rs∥Rb)≈rb'e∥(rb'b+Rs)≈567?
f1
H=
2πRCπ
'
≈175kHzf1
L=
2π(R≈14Hz
s+Ri)C
(4)在中頻段的增益為
20lgA&usm≈45dB
頻率特性曲線如解圖T5.2所示。
解圖T5.2
三、 已知某放大電路的波特圖如圖T5.3所示,填空:
&|= dB,A&=。 (1)電路的中頻電壓增益20lg|Au mu m
(2)電路的下限頻率fL≈ Hz,上限頻率fH≈ kHz.
&=
(3)電路的電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式Au
圖T5.3
解:(1)60 104 (2)10 10 (3)
±103±100jf
或
(1+1+j)(1+j)(1+j)(1+j1+jjf1010101010
說明:該放大電路的中頻放大倍數(shù)可能為“+”,也可能為“-”。
習(xí) 題
5.1 在圖P5.1所示電路中,已知晶體管的rbb'、Cμ、Cπ,Ri≈rbe。 填空:除要求填寫表達(dá)式的之外,其余各空填入①增大、②基本不變、③減小。
圖P5.1
(1)在空載情況下,下限頻率的表達(dá)式fL= 。當(dāng)Rs減小時(shí),fL將 ;當(dāng)帶上負(fù)載電阻后,fL將 。
(2)在空載情況下,若b-e間等效電容為Cπ, 則上限頻率的表達(dá)式fH =當(dāng)Rs為零時(shí),fH將 ;當(dāng)Rb減小時(shí),gm將 ,Cπ將fH將 。 解:(1)
'
'
1
。①;①。
2π(Rs+Rb∥rbe) C1
(2)
1
;①;①,①,③。
2π[rb'e∥(rbb'+Rb∥Rs)]Cπ'
&
的表達(dá)式。 5.2 已知某電路的波特圖如圖P5.2所示,試寫出Au
圖P5.2
解: 設(shè)電路為基本共射放大電路或基本共源放大電路。
&≈ Au
(1+
?32f10
)(1+j5)jf10
&≈或 Au
?3.2jf
ff(1+j1+j51010
&的表達(dá)式。 5.3 已知某共射放大電路的波特圖如圖P5.3所示,試寫出A
u
圖P5.3
解:觀察波特圖可知,中頻電壓增益為40dB,即中頻放大倍數(shù)為-100;
&的表達(dá)式下限截止頻率為1Hz和10Hz,上限截止頻率為250kHz。故電路Au
為
&= Au
?100
(1+1+)(1+j)5
jfjf2.5×10+10f
(1+jf)(1+j1+j)5
102.5×10
2
&=或 Au
5.4 已知某電路的幅頻特性如圖P5.4所示,試問: (1)該電路的耦合方式;
(2)該電路由幾級(jí)放大電路組成; (3)當(dāng)f =104Hz時(shí),附加相移為多少?當(dāng)f =105時(shí),附加相移又約為多少?
解:(1)因?yàn)橄孪藿刂诡l率為0,所以電路為直接耦合電路;
(2)因?yàn)樵诟哳l段幅頻特性為 圖P5.4 -60dB/十倍頻,所以電路為三級(jí)放大電路;
(3)當(dāng)f =104Hz時(shí),φ'=-135o;當(dāng)f =105Hz時(shí),φ'≈-270o 。
&的表達(dá)式,并近似估5.5 若某電路的幅頻特性如圖P5.4所示,試寫出Au
算該電路的上限頻率fH。
&的表達(dá)式和上限頻率分別為 解:Au
'3
f±10H&= AfH≈≈5.2kHz u
f31.(1+j4)10
5.6 已知某電路電壓放大倍數(shù)
&= Au
?10jf
ff(1+j1+j51010
試求解:
(1)A&um
=?fL=?fH =? (2)畫出波特圖。
解:(1)變換電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式,求出A&um
、fL、fH。?100?jf
A&u
=10
(1+j
ff
101+j105) A&um
=?100
fL=10HzfH=105Hz
(2)波特圖如解圖P5.6所示。
解圖P5.6
5.7 已知兩級(jí)共射放大電路的電壓放大倍數(shù)
&=Au
200?jf
f??f??f???1+j??1+j4??1+j5? 5×102.510??????
&=?fL=?fH =? (1)Au m
(2)畫出波特圖。
&、fL、fH。 解:(1)變換電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式,求出Au m
103?j
f
A&u
=(1+jf51+jff
1041+j2.5×105
A&um
=103
fL=5Hz fH≈104Hz
(2)波特圖如解圖P5.7所示。
解圖P5.7
5.8 電路如圖P5.8所示。已知:晶體管的β、rbb'、Cμ均相等,所有電容的容量均相等,靜態(tài)時(shí)所有電路中晶體管的發(fā)射極電流IEQ均相等。定性分析各電路,將結(jié)論填入空內(nèi)。
圖P5.8
(1)低頻特性最差即下限頻率最高的電路是; (2)低頻特性最好即下限頻率最低的電路是; (3)高頻特性最差即上限頻率最低的電路是; 解:(1)(a) (2)(c) (3)(c)
5.9 在圖P5.8(a)所示電路中,若β =100,rbe=1kΩ,C1=C2=Ce=100μF,則下限頻率fL≈?
解:由于所有電容容量相同,而Ce所在回路等效電阻最小,所以下限頻率決定于Ce所在回路的時(shí)間常數(shù)。
R=Re∥
rbe+Rs∥Rbrbe+Rs
≈≈20?
1+β1+β
fL≈
1
≈80Hz
2 πRCe
5.10 在圖P5.8(b)所示電路中,若要求C1與C2所在回路的時(shí)間常數(shù)相等,且已知rbe=1kΩ,則C1:C2=? 若C1與C2所在回路的時(shí)間常數(shù)均為25ms,則C1、C2各為多少?下限頻率fL≈? 解:(1)求解C1:C2
因?yàn)?C1(Rs+Ri)=C2(Rc+RL)
將電阻值代入上式,求出 C1 : C2=5 : 1。 (2)求解C1、C2的容量和下限頻率
C1=C2=
τ
Rs+Ri
F≈12.5μ F≈2.5μ
τ
Rc+RL
1
≈6.4Hz2πτ
fL≈1.2fL1≈10HzfL1=fL2=
5.11 在圖P5.8(a)所示電路中,若Ce突然開路,則中頻電壓放大倍數(shù)
&、fH和fL各產(chǎn)生什么變化(是增大、減小、還是基本不變)?為什么? Ausm
&&&& 解:Ausm將減小,因?yàn)樵谕瑯臃档腢i作用下,Ib將減小,Ic隨之&必然減小。 減小,o
fL減小,因?yàn)樯倭艘粋(gè)影響低頻特性的電容。
因?yàn)镃π會(huì)因電壓放大倍數(shù)數(shù)值的減小而大大減小,所以雖然Cπ fH增大。
所在回落的等效電阻有所增大,但時(shí)間常數(shù)仍會(huì)減小很多,故fH增大。
5.12 在圖P5.8(a)所示電路中,若C1>Ce,C2>Ce,β =100,rbe=1kΩ,欲使fL =60Hz,則Ce應(yīng)選多少微法?
解:下限頻率決定于Ce所在回路的時(shí)間常數(shù),fL≈回路的等效電阻。
R和Ce的值分別為: R=Re∥
'
'
1
。R為Ce所在
2πRCe
rbe+Rs∥Rbrbe+Rs
≈≈20?
1+β1+β
Ce≈
1
≈133μF
2πRfL
5.13 在圖P5.8(d)所示電路中,已知晶體管的rbb'=100Ω,rbe=1kΩ,靜態(tài)電流IEQ=2mA,Cπ=800pF;Rs=2kΩ,Rb=500 kΩ,RC=3.3 kΩ,C=10μF。
試分別求出電路的fH、fL,并畫出波特圖。 解:(1)求解fL fL=
'
12π(Rs+Ri)
≈
12π(Rs+rbe)
≈5.3Hz
(2)求解fH和中頻電壓放大倍數(shù)
rb'e=rbe?rb'b=0.9k?fH=
gm≈
11
≈≈316kHz''
2π[rb'e∥(rb'b+Rb∥Rs)]Cπ2π[rb'e∥(rb'b+Rs)]CπIEQUT
≈77mA/V
&=Ausm
rb'erRi''
?b'e?(?gmRL)≈?(?gmRL)≈?76
Rs+rbeRs+Rirbe
&20lgAusm≈37.6dB
其波特圖參考解圖P5.6。
5.14電路如圖P5.14所示,已知Cgs=Cgd=5pF,gm=5mS,C1=C2=CS=10μF。
&的表達(dá)式。 試求fH、fL各約為多少,并寫出A
us
圖P5.14
&的表達(dá)式分析如下: 解:fH、fL、Aus
&=AusmfL≈
Ri''
≈?12.4(?gmRL)≈?gmRL
Rs+Ri
1
≈16Hz
2πRsCs
11
≈≈1.1MHz''
2π(Rs∥Rg)Cgs2πRsCgs
?12.4?(j
''
Cgs=Cgs+(1+gmRL)Cgd≈72pF
fH=
f
&≈Aus
ff(1+j)(1+j)6
161.1×10
5.15在圖5.4.7(a)所示電路中,已知Rg=2MΩ,Rd=RL=10kΩ,C =10μF;場(chǎng)效應(yīng)管的Cgs=Cgd=4pF,gm= 4mS。試畫出電路的波特圖,并標(biāo)出有關(guān)數(shù)據(jù)。
解:
&=?gR'=?20, 20lgA&≈26dBAumummL
''
)Cgd=88pF=Cgs+(1+gmRLCgs
1
≈0.796Hz fL≈
2π(Rd+RL)C
fH=
1
≈904Hz'
2πRgCgs
其波特圖參考解圖P5.6。
5.16 已知一個(gè)兩級(jí)放大電路各級(jí)電壓放大倍數(shù)分別為
&U?25j f&Au1=o1=ffUi????
?1+j??1+j5?
4??10? ?
&U?2j f& Au2=o=f??f?U?i2
?1+j??1+j5?
50??10??
(1)寫出該放大電路的表達(dá)式;
(2)求出該電路的fL和fH各約為多少; (3)畫出該電路的波特圖。 解:(1)電壓放大電路的表達(dá)式
&=A&A& Auu1u2=
?50f2
fff2
(1+j1+j)(1+j5)
45010
(2)fL和fH分別為:
fL≈50Hz
11
≈,f≈64.3kHzHfH1.15
(3)根據(jù)電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式可知,中頻電壓放大倍數(shù)為104,增益為80dB。波特圖如解圖P5.16所示。
解圖P5.16
5.17 電路如圖P5.17所示。試定性分析下列問題,并簡述理由。 (1)哪一個(gè)電容決定電路的下限頻率;
(2)若T1和T2靜態(tài)時(shí)發(fā)射極電流相等,且rbb'和Cπ
相等,則哪一級(jí)的上限頻率低。
'
圖P5.17
解:(1)決定電路下限頻率的是Ce,因?yàn)樗诨芈返牡刃щ娮枳钚 ?(2)因?yàn)镽2∥R3∥R4 >R1∥Rs,Cπ2所在回路的時(shí)間常數(shù)大于Cπ1所在回路的時(shí)間常數(shù),所以第二級(jí)的上限頻率低。
'
'
5.18 若兩級(jí)放大電路各級(jí)的波特圖均如圖P5.2所示,試畫出整個(gè)電路的波特圖。
&=60dB。在折線化幅頻特性中,頻率小于10Hz時(shí)斜率為解:20lgAum
+40dB/十倍頻,頻率大于105Hz時(shí)斜率為-40dB/十倍頻。在折線化相頻特性中,f =10Hz時(shí)相移為+90o,f =105Hz時(shí)相移為-90o。波特圖如解圖P5.18所示。
解圖P5.18