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模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四版童詩白課后答案e

時(shí)間:2023-05-01 12:04:36 詩句 我要投稿
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模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四版童詩白課后答案e

第五章 放大電路的頻率響應(yīng)

自 測(cè) 題

一、選擇正確答案填入空內(nèi)。

(1)測(cè)試放大電路輸出電壓幅值與相位的變化,可以得到它的頻率響應(yīng),條件是 。

A.輸入電壓幅值不變,改變頻率 B.輸入電壓頻率不變,改變幅值 C.輸入電壓的幅值與頻率同時(shí)變化

(2)放大電路在高頻信號(hào)作用時(shí)放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是而低頻信號(hào)作用時(shí)放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是 。 A.耦合電容和旁路電容的存在

B.半導(dǎo)體管極間電容和分布電容的存在。 C.半導(dǎo)體管的非線性特性 D.放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)不合適

(3)當(dāng)信號(hào)頻率等于放大電路的fL 或fH時(shí),放大倍數(shù)的值約下降到中頻時(shí)的 。

A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降

A.3dB B.4dB C.5dB

&相位關(guān)系是。&與U (4)對(duì)于單管共射放大電路,當(dāng)f = fL時(shí),U oi

A.+45?

B.-90? C.-135?

&與U&的相位關(guān)系是。 當(dāng)f = fH時(shí),Uoi

A.-45? B.-135? C.-225? 解:(1)A (2)B,A (3)B A (4)C C

二、電路如圖T5.2所示。已知:VCC=12V;晶體管的Cμ=4pF,fT = 50MHz,rbb'=100Ω, β0=80。試求解:

(1)中頻電壓放大倍數(shù)A&usm

; (2)C'

π; (3)fH和fL;

(4)畫出波特圖。

圖T5.2

解:(1)靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的分析估算:

IBQ=

VCC?UBEQ

R≈22.6? A

b

IEQ=(1+β)IBQ≈1.8mAUCEQ=VCC?ICQRc≈3Vrb'e=(1+β)

26mV

I≈1.17k?

EQ

r

be=rbb'+rb'e≈1.27k?Ri=rbe∥Rb≈1.27k?gm=

IEQU≈69.2mA/V

T

A&=Ri

rusm

R?b'e(?gmRc ) ≈?178

s+Rirbe

(2)估算C'

π:

fT≈

Cπ≈

β0

2πrb'e(Cπ+Cμ)

β0

2πrb'efT

?Cμ≈214pF

'

=Cπ+(1+gmRc)Cμ≈1602pFCπwww.shangyepx.com

(3)求解上限、下限截止頻率:

R=rb'e∥(rb'b+Rs∥Rb)≈rb'e∥(rb'b+Rs)≈567?

f1

H=

2πRCπ

'

≈175kHzf1

L=

2π(R≈14Hz

s+Ri)C

(4)在中頻段的增益為

20lgA&usm≈45dB

頻率特性曲線如解圖T5.2所示。

解圖T5.2

三、 已知某放大電路的波特圖如圖T5.3所示,填空:

&|= dB,A&=。 (1)電路的中頻電壓增益20lg|Au mu m

(2)電路的下限頻率fL≈ Hz,上限頻率fH≈ kHz.

&=

(3)電路的電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式Au

圖T5.3

解:(1)60 104 (2)10 10 (3)

±103±100jf

(1+1+j)(1+j)(1+j)(1+j1+jjf1010101010

說明:該放大電路的中頻放大倍數(shù)可能為“+”,也可能為“-”。

習(xí) 題

5.1 在圖P5.1所示電路中,已知晶體管的rbb'、Cμ、Cπ,Ri≈rbe。 填空:除要求填寫表達(dá)式的之外,其余各空填入①增大、②基本不變、③減小。

圖P5.1

(1)在空載情況下,下限頻率的表達(dá)式fL= 。當(dāng)Rs減小時(shí),fL將 ;當(dāng)帶上負(fù)載電阻后,fL將 。

(2)在空載情況下,若b-e間等效電容為Cπ, 則上限頻率的表達(dá)式fH =當(dāng)Rs為零時(shí),fH將 ;當(dāng)Rb減小時(shí),gm將 ,Cπ將fH將 。 解:(1)

'

'

1

。①;①。

2π(Rs+Rb∥rbe) C1

(2)

1

;①;①,①,③。

2π[rb'e∥(rbb'+Rb∥Rs)]Cπ'

&

的表達(dá)式。 5.2 已知某電路的波特圖如圖P5.2所示,試寫出Au

圖P5.2

解: 設(shè)電路為基本共射放大電路或基本共源放大電路。

&≈ Au

(1+

?32f10

)(1+j5)jf10

&≈或 Au

?3.2jf

ff(1+j1+j51010

&的表達(dá)式。 5.3 已知某共射放大電路的波特圖如圖P5.3所示,試寫出A

u

圖P5.3

解:觀察波特圖可知,中頻電壓增益為40dB,即中頻放大倍數(shù)為-100;

&的表達(dá)式下限截止頻率為1Hz和10Hz,上限截止頻率為250kHz。故電路Au

&= Au

?100

(1+1+)(1+j)5

jfjf2.5×10+10f

(1+jf)(1+j1+j)5

102.5×10

2

&=或 Au

5.4 已知某電路的幅頻特性如圖P5.4所示,試問: (1)該電路的耦合方式;

(2)該電路由幾級(jí)放大電路組成; (3)當(dāng)f =104Hz時(shí),附加相移為多少?當(dāng)f =105時(shí),附加相移又約為多少?

解:(1)因?yàn)橄孪藿刂诡l率為0,所以電路為直接耦合電路;

(2)因?yàn)樵诟哳l段幅頻特性為 圖P5.4 -60dB/十倍頻,所以電路為三級(jí)放大電路;

(3)當(dāng)f =104Hz時(shí),φ'=-135o;當(dāng)f =105Hz時(shí),φ'≈-270o 。

&的表達(dá)式,并近似估5.5 若某電路的幅頻特性如圖P5.4所示,試寫出Au

算該電路的上限頻率fH。

&的表達(dá)式和上限頻率分別為 解:Au

'3

f±10H&= AfH≈≈5.2kHz u

f31.(1+j4)10

5.6 已知某電路電壓放大倍數(shù)

&= Au

?10jf

ff(1+j1+j51010

試求解:

(1)A&um

=?fL=?fH =? (2)畫出波特圖。

解:(1)變換電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式,求出A&um

、fL、fH。?100?jf

A&u

=10

(1+j

ff

101+j105) A&um

=?100

fL=10HzfH=105Hz

(2)波特圖如解圖P5.6所示。

解圖P5.6

5.7 已知兩級(jí)共射放大電路的電壓放大倍數(shù)

&=Au

200?jf

f??f??f???1+j??1+j4??1+j5? 5×102.510??????

&=?fL=?fH =? (1)Au m

(2)畫出波特圖。

&、fL、fH。 解:(1)變換電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式,求出Au m

103?j

f

A&u

=(1+jf51+jff

1041+j2.5×105

A&um

=103

fL=5Hz fH≈104Hz

(2)波特圖如解圖P5.7所示。

解圖P5.7

5.8 電路如圖P5.8所示。已知:晶體管的β、rbb'、Cμ均相等,所有電容的容量均相等,靜態(tài)時(shí)所有電路中晶體管的發(fā)射極電流IEQ均相等。定性分析各電路,將結(jié)論填入空內(nèi)。

圖P5.8

(1)低頻特性最差即下限頻率最高的電路是; (2)低頻特性最好即下限頻率最低的電路是; (3)高頻特性最差即上限頻率最低的電路是; 解:(1)(a) (2)(c) (3)(c)

5.9 在圖P5.8(a)所示電路中,若β =100,rbe=1kΩ,C1=C2=Ce=100μF,則下限頻率fL≈?

解:由于所有電容容量相同,而Ce所在回路等效電阻最小,所以下限頻率決定于Ce所在回路的時(shí)間常數(shù)。

R=Re∥

rbe+Rs∥Rbrbe+Rs

≈≈20?

1+β1+β

fL≈

1

≈80Hz

2 πRCe

5.10 在圖P5.8(b)所示電路中,若要求C1與C2所在回路的時(shí)間常數(shù)相等,且已知rbe=1kΩ,則C1:C2=? 若C1與C2所在回路的時(shí)間常數(shù)均為25ms,則C1、C2各為多少?下限頻率fL≈? 解:(1)求解C1:C2

因?yàn)?C1(Rs+Ri)=C2(Rc+RL)

將電阻值代入上式,求出 C1 : C2=5 : 1。 (2)求解C1、C2的容量和下限頻率

C1=C2=

τ

Rs+Ri

F≈12.5μ F≈2.5μ

τ

Rc+RL

1

≈6.4Hz2πτ

fL≈1.2fL1≈10HzfL1=fL2=

5.11 在圖P5.8(a)所示電路中,若Ce突然開路,則中頻電壓放大倍數(shù)

&、fH和fL各產(chǎn)生什么變化(是增大、減小、還是基本不變)?為什么? Ausm

&&&& 解:Ausm將減小,因?yàn)樵谕瑯臃档腢i作用下,Ib將減小,Ic隨之&必然減小。 減小,o

fL減小,因?yàn)樯倭艘粋(gè)影響低頻特性的電容。

因?yàn)镃π會(huì)因電壓放大倍數(shù)數(shù)值的減小而大大減小,所以雖然Cπ fH增大。

所在回落的等效電阻有所增大,但時(shí)間常數(shù)仍會(huì)減小很多,故fH增大。

5.12 在圖P5.8(a)所示電路中,若C1>Ce,C2>Ce,β =100,rbe=1kΩ,欲使fL =60Hz,則Ce應(yīng)選多少微法?

解:下限頻率決定于Ce所在回路的時(shí)間常數(shù),fL≈回路的等效電阻。

R和Ce的值分別為: R=Re∥

'

'

1

。R為Ce所在

2πRCe

rbe+Rs∥Rbrbe+Rs

≈≈20?

1+β1+β

Ce≈

1

≈133μF

2πRfL

5.13 在圖P5.8(d)所示電路中,已知晶體管的rbb'=100Ω,rbe=1kΩ,靜態(tài)電流IEQ=2mA,Cπ=800pF;Rs=2kΩ,Rb=500 kΩ,RC=3.3 kΩ,C=10μF。

試分別求出電路的fH、fL,并畫出波特圖。 解:(1)求解fL fL=

'

12π(Rs+Ri)

12π(Rs+rbe)

≈5.3Hz

(2)求解fH和中頻電壓放大倍數(shù)

rb'e=rbe?rb'b=0.9k?fH=

gm≈

11

≈≈316kHz''

2π[rb'e∥(rb'b+Rb∥Rs)]Cπ2π[rb'e∥(rb'b+Rs)]CπIEQUT

≈77mA/V

&=Ausm

rb'erRi''

?b'e?(?gmRL)≈?(?gmRL)≈?76

Rs+rbeRs+Rirbe

&20lgAusm≈37.6dB

其波特圖參考解圖P5.6。

5.14電路如圖P5.14所示,已知Cgs=Cgd=5pF,gm=5mS,C1=C2=CS=10μF。

&的表達(dá)式。 試求fH、fL各約為多少,并寫出A

us

圖P5.14

&的表達(dá)式分析如下: 解:fH、fL、Aus

&=AusmfL≈

Ri''

≈?12.4(?gmRL)≈?gmRL

Rs+Ri

1

≈16Hz

2πRsCs

11

≈≈1.1MHz''

2π(Rs∥Rg)Cgs2πRsCgs

?12.4?(j

''

Cgs=Cgs+(1+gmRL)Cgd≈72pF

fH=

f

&≈Aus

ff(1+j)(1+j)6

161.1×10

5.15在圖5.4.7(a)所示電路中,已知Rg=2MΩ,Rd=RL=10kΩ,C =10μF;場(chǎng)效應(yīng)管的Cgs=Cgd=4pF,gm= 4mS。試畫出電路的波特圖,并標(biāo)出有關(guān)數(shù)據(jù)。

解:

&=?gR'=?20, 20lgA&≈26dBAumummL

''

)Cgd=88pF=Cgs+(1+gmRLCgs

1

≈0.796Hz fL≈

2π(Rd+RL)C

fH=

1

≈904Hz'

2πRgCgs

其波特圖參考解圖P5.6。

5.16 已知一個(gè)兩級(jí)放大電路各級(jí)電壓放大倍數(shù)分別為

&U?25j f&Au1=o1=ffUi????

?1+j??1+j5?

4??10? ?

&U?2j f& Au2=o=f??f?U?i2

?1+j??1+j5?

50??10??

(1)寫出該放大電路的表達(dá)式;

(2)求出該電路的fL和fH各約為多少; (3)畫出該電路的波特圖。 解:(1)電壓放大電路的表達(dá)式

&=A&A& Auu1u2=

?50f2

fff2

(1+j1+j)(1+j5)

45010

(2)fL和fH分別為:

fL≈50Hz

11

≈,f≈64.3kHzHfH1.15

(3)根據(jù)電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式可知,中頻電壓放大倍數(shù)為104,增益為80dB。波特圖如解圖P5.16所示。

解圖P5.16

5.17 電路如圖P5.17所示。試定性分析下列問題,并簡述理由。 (1)哪一個(gè)電容決定電路的下限頻率;

(2)若T1和T2靜態(tài)時(shí)發(fā)射極電流相等,且rbb'和Cπ

相等,則哪一級(jí)的上限頻率低。

'

圖P5.17

解:(1)決定電路下限頻率的是Ce,因?yàn)樗诨芈返牡刃щ娮枳钚 ?(2)因?yàn)镽2∥R3∥R4 >R1∥Rs,Cπ2所在回路的時(shí)間常數(shù)大于Cπ1所在回路的時(shí)間常數(shù),所以第二級(jí)的上限頻率低。

'

'

5.18 若兩級(jí)放大電路各級(jí)的波特圖均如圖P5.2所示,試畫出整個(gè)電路的波特圖。

&=60dB。在折線化幅頻特性中,頻率小于10Hz時(shí)斜率為解:20lgAum

+40dB/十倍頻,頻率大于105Hz時(shí)斜率為-40dB/十倍頻。在折線化相頻特性中,f =10Hz時(shí)相移為+90o,f =105Hz時(shí)相移為-90o。波特圖如解圖P5.18所示。

解圖P5.18